Product Details
Lugar de origem: Shandong China
Marca: JIURUNFA
Certificação: ISO9001
Número do modelo: Óxido de zinco
Payment & Shipping Terms
Quantidade de ordem mínima: 1 tonelada
Preço: Negociável
Detalhes da embalagem: 25/50kg de saco de tecido forrado com sacos plásticos ou de acordo com os requisitos dos clientes.
Tempo de entrega: 7-15 dias
Termos de pagamento: L/c, d/a, d/p, t/t
Habilidade da fonte: 30000 toneladas/mês
Absorção UV: |
Forte absorção UV |
Gap de banda: |
3.3 eV |
Fórmula: |
ZnO |
Indicador: |
² de superfície /g de Pb≤20 As≤5 Cd≤8 Area≥30m |
Peso molecular: |
810,408 g/mol |
Resistividade elétrica: |
10^10 Ω·m |
Ponto de ebulição: |
2360°C |
Percentual: |
990,5% 99,7% |
Absorção UV: |
Forte absorção UV |
Gap de banda: |
3.3 eV |
Fórmula: |
ZnO |
Indicador: |
² de superfície /g de Pb≤20 As≤5 Cd≤8 Area≥30m |
Peso molecular: |
810,408 g/mol |
Resistividade elétrica: |
10^10 Ω·m |
Ponto de ebulição: |
2360°C |
Percentual: |
990,5% 99,7% |
O óxido de zinco (ZnO) é um composto inorgânico insolúvel em água, mas solúvel em ácidos e bases fortes.de borracha sintética, lubrificantes, tintas, revestimentos, produtos farmacêuticos, adesivos, produtos alimentares, baterias e retardadores de chama.ZnO demonstra excelente transparência e luminescência à temperatura ambiente, tornando-o valioso para aplicações de semicondutores, incluindo telas LCD, transistores de filme fino e LEDs.
O vapor de zinco é oxidado a 1000°C para produzir partículas de ZnO (0,1-10μm) com pureza de 99,5-99,7%.Este método representa a maior parte da produção mundial.
Processar minérios que contenham zinco através de redução carbotérmica, produzindo partículas mais grosseiras (puridade 75-95%) principalmente para as indústrias da borracha e da cerâmica.
Produz ZnO de nano tamanho de alta pureza (1-100 nm) através de processos ácidos ou de amônia:
Imóveis | Descrição |
---|---|
Fórmula química | ZnO |
Tamanho das partículas | 0.1μm - 100nm (variam consoante o método de produção) |
Purificação | 75% - 99,7% (dependente do método) |
Espaço de banda | 3.37 eV (excelentes propriedades de semicondutores) |